Samsung направит 2000 инженеров на завод для улучшения качества памяти HBM.

Считается, что технологические трудности Samsung Electronics в последние годы частично вызваны проблемами внутреннего взаимодействия. В связи с этим, одним из шагов к нормализации ситуации с производством памяти HBM3E для Nvidia может стать направлениe специалистов, отвечающих за разработку, на производственные площадки.

https://3dnews.ru/1115458/samsung-otpravit-na-zavod-2000-ingenerov-chtobi-podtyanut-kachestvo-pamyati-hbm2024-12-15 07:34:16

Недавние технологические трудности Samsung Electronics, как считается, частично связаны с проблемами внутренней корпоративной коммуникации. В связи с этим новым шагом к нормализации ситуации с производством памяти HBM3E для Nvidia может стать отправка специалистов, ответственных за её разработку, на места её производства.

Источник изображения: Samsung Electronics

Тайваньский ресурс DigiTimes в конце рабочей недели представил своеобразный обзор новостей по данной теме, основанный на материалах как южнокорейских, так и западных СМИ. Назначенный в мае на пост руководителя полупроводникового бизнеса Samsung Чун Ён Хён (Jun Young-hyun) reportedly настоял на отправке 2000 инженеров на новейшее предприятие компании в Пхёнтхэке, где производятся микросхемы HBM текущих поколений. Этот «инженерный десант» должен повысить качество продукции соответствующего типа. Специалисты должны гарантировать, что перенос новых технологий из лабораторий Samsung на конвейер не приведет к снижению качества продукции. Официально Samsung считает подобные сообщения необоснованными.

Согласно информации корейских СМИ, память HBM3E от Samsung вряд ли сможет пройти сертификацию Nvidia в этом году, однако компания надеется сделать это в следующем. По данным Korean Economic Daily, в следующем году SK hynix начнет производство микросхем HBM4 на основе 3-нм технологии, для чего уже сейчас сотрудничает с тайваньской TSMC. В то же время Samsung планирует ограничиться 4-нм технологией при производстве HBM4. Например, чип, выпущенный по 3-нм техпроцессу для HBM4, позволит увеличить быстродействие на 20–30 % по сравнению с существующими 5-нм чипами. В таких условиях Samsung также интересуется возможностью сотрудничества с TSMC для получения доступа к 3-нм технологии. По информации некоторых СМИ, необходимость догнать конкурентов в производстве DRAM заставляет Samsung проводить реструктуризацию бизнеса и массовые изменения в руководстве компании в полупроводниковом направлении.